面向快速發展的關鍵應用的GaN HEMT，它的性能優於MOSFET Posted 2020年8月26日 分類: 技術文章 矽功率MOSFET未能跟上電力電子行業的發展變化，而效率、功率密度和更小的外型尺寸等因素是行業的主要需求。 矽MOSFET元件的性能已達到其理論極限，並且由於電路板的空間非常寶貴，因此功率系統設計人員必需找出替代方案。 氮化鎵（GaN）元件是一種高電子遷移率電晶體（HEMT），這種半導體正為新興應用不斷增值。 EETimes 2020年8月 閱讀全文 標籤: 無線電源 氮化鎵器件性能 HEMT MOSFET 氮化鎵 雷射雷達 車載應用 GaN 航太 D類音訊拓撲 相關的熱門文章 EPC公司將在2021年APEC虛擬會議暨博覽會上，展示在多種應用中 使用eGaN FET和積體電路的高功率密度解决方案 宜普電源轉換公司推出符合A4WP規格幷可傳送35 W功率及工作在6.78 MHz頻率的高效無綫電源傳送演示套件 EPC9121--10 W多模式無線充電演示系統 榮獲《今日電子》/21IC媒體頒發 “年度十大電源產品--技術突破獎” 非常高共振頻率的無線電源傳送系統解構 EPC8000 Family Highlighted as “Green Product of the Month” in Bodo’s Power Systems