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氮化鎵和 碳化矽元件的下一個浪潮

分類: 技術文章
氮化鎵和 碳化矽元件的下一個浪潮

根據將氮化鎵和碳化矽材料的電子從價帶轉移到導帶所需的能量,氮化鎵和碳化矽元件被指定爲寬帶隙 (WBG) 半導體——碳化矽元件約爲 3.2 eV,氮化鎵元件則約爲 3.4 eV,而矽元件只有1.1 eV 。WBG 的擊穿電壓更高,在某些應用中可以達到 1,700 V。 在今年 5 月舉行的綫上PCIM Europe展會上,幾家公司展示了他們在 氮化鎵和碳化矽技術方面的最新創新,並且就 WBG 技術的發展方向分享了其獨特見解。

EE Times – Europe
2021 年 7 月
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