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EPC推出用於高功率密度電源轉換和光達應用的100 V eGaN功率電晶體

分類: 新聞稿
EPC推出用於高功率密度電源轉換和光達應用的100 V eGaN功率電晶體

EPC公司爲電源系統設計工程師提供全新的100 V、23 mΩ 功率電晶體(EPC2070),它採用微型芯片級封裝並提供34 A脉衝電流,非常適合 60 W、48 V 電源轉換器、光達和 LED 照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的氮化鎵電晶體(EPC2070),具有23 mΩ 的最大導通阻抗和34 A脉衝輸出電流,可在細小的1.1 mm2佔板面積實現高效功率轉換。

要求更高的效率和功更高的率密度的應用不再需要在尺寸和性能之間做出選擇。此外,EPC2070的低成本與矽 MOSFET的價格相當。受益於高性能、小尺寸和低成本的氮化鎵電晶體的應用包括用於計算和電訊系統的48 V輸入、高達60 W的電源轉換器;用於相機模組、筆記本電腦和智能手機並且使用 VSCEL雷射器的飛行時間 (ToF)模組;LED 照明和 D 類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司首席執行長 Alex Lidow 說:「氮化鎵(eGaN)功率元件可以在高頻下高效地工作的性能,擴大了它與矽元件在性能和成本方面的績效差距。100 V的EPC2070是我們第5代產品系列的全新元件,爲設計人員提供矽MOSFET不可能實現的功率密度。」

開發板

EPC90141開發板的最大元件電壓爲100 V,配備板載閘極驅動器的半橋元件,採用了EPC2070 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專爲實現最佳開關性能而設計,並且包含所有關鍵元件,讓工程師易於評估EPC2070。

價格及供貨

T批量爲2500個EPC2070的單價爲0.67美元。EPC90141開發板的單價爲123.75美元,均可從Digi-Key購買,網址爲https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc

宜普電源轉換公司簡介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤汽車應用領域功率逆變器三維成像與雷射雷達(Lidar)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ([email protected])