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氮化鎵技術提高數據中心的功率密度

分類: 技術文章
氮化鎵技術提高數據中心的功率密度

當數據中心的伺服器轉用48 V架構,氮化鎵電晶體可以替代目前的矽MOSFET元件,性能得以進一步提升和成本可以更低。

Data Center Dynamics
2022年3月
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