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EPC新推實現超低導通電阻的200 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

分類: 新聞稿
EPC新推實現超低導通電阻的200 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列,新推的200 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案,它具備超低導通電阻和極小型化等優勢。

EPC公司宣佈推出200 V、25 mΩ、80 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm2,其總劑量等級大於1 Mrad,綫性能量轉移(LET)的單一事件效應(SEE)抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。與商用eGaN FET和IC系列相同,採用芯片級封裝。 封裝元件將由EPC Space提供。

與等效且具相同導通電阻的耐輻射矽元件相比,EPC7007的QG和QGD小40倍、零反向恢復(QRR)和尺寸小40倍。憑藉更高的擊穿强度、更低的閘極電荷、更低的開關損耗、更優越的導熱性和超低的導通電阻,氮化鎵功率元件明顯優於矽基元件,可以實現更高的開關頻率,用於要求嚴格的航太任務,可實現更高的功率密度、更高的效率,更小型化和更輕的電路。與矽解決方案相比,基於氮化鎵元件的解決方案可以在更高的總輻射量、SEE 和LET水平下工作。

受益於EPC7007的高性能的應用包括DC/DC電源、馬達控制、光達、深層探測以及用於航太應用、衛星和航空電子設備的離子推進器。

EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow說:「EPC的氮化鎵技術在航太應用實現新一代的電源轉換和馬達控制,其工作頻率更高、效率更高和功率密度更高,這是以前無法實現的。EPC7007將我們的抗輻射產品系列的電壓範圍擴大至200 V。與矽解決方案相比,EPC7007為設計人員提供小很多和成本更低的解決方案。」

EPC7007備有工程樣品,並將於2022年12月批量出貨。

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵(eGaN)的功率管理器件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器雷射雷達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註册商標。關注EPC公司:LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡方式

宜普電源轉換公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])