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BRC Solar的新一代太陽能優化器採用EPC的100 V氮化鎵元件(eGaN FET)

分類: 新聞稿
BRC Solar的新一代太陽能優化器採用EPC的100 V氮化鎵元件(eGaN FET)

BRC Solar公司的新型M500/14功率優化器採用EPC公司的100 V 氮化鎵元件(EPC2218),它的佔板面積小,可實現更高的頻率和額定功率。

BRC Solar公司憑藉其功率優化器徹底改變了光伏市場的發展、提高了光伏電站和系統的發電量和性能。其新一代M500/14 功率優化器採用了宜普電源轉換公司的EPC2218(100 V的場效應電晶體),實現了更高的功率密度,因為GaN FET的低功耗和小尺寸使關鍵負載電路更加緊凑。而GaN FET的小寄生電容和電感可實現沒有雜訊的開關和良好的EMI特性。GaN FET的另一個優點是沒有反向恢復損耗。

EPC2218是一款 100 V 、3.2 mΩ、231 Apulsed的GaN FET,尺寸僅為 3.5 mm x 1.95 mm,與同類矽 MOSFET 相比,具有更低的損耗和更小,從而提高了功率密度。

BRC之前代的M400/12系列可處理高達12 A的電流,最大功率爲 400 W。BRC公司不用Si FET 而改用GaN FET,讓輸出電流增加到 14 A,額定功率為500 W,電路板尺寸一樣。此外,新型M500/14 的開關頻率是前代的兩倍,從而可以減少電容器和電感器等無源元件,甚至完全去除。

只有當光伏模組上出現陰影時,BRC的功率優化器才會被激活。通常模組被完全照射時,其電路會進入非活動狀態,這時的開關FET繼續關閉。非常重要的是,電路板上的功耗要盡可能低。由於氮化鎵元件具有低導通電阻, 因此基於EPC2218的BRC功率優化器是最佳的解決方案,而且GaN FET 的出色導電性也可實現非常小的靜態損耗。

優化器在激活時,模塊的開關可實現較小、可接受的功耗。 具有小寄生電容和電感的EPC2218可在應用中實現快速、沒有雜訊的開關。

在以上兩種模式,FET的溫升都很小,即使在較高的環境溫度下,也可以通過 EPC2218 的 LGA 焊盤散熱至電路板。因此,不需要額外的散熱器而可進一步節省佔板面積和更輕。

BRC Solar公司的Winona Kremb說:「EPC公司的eGaN FET為開發高密度電力電子開拓全新視野。我們將繼續關注EPC新推的產品和相關的應用。我們非常高興在這個旅程中,與EPC團隊携手邁進新里程。」

宜普電源轉換公司歐洲、中東和非洲地區銷售副總裁Stefan Werkstetter說:「我們携手與BRC公司和分銷商Finepower合作,在設計中不用矽元件,改用氮化鎵元件,成功實現了這個新型設計。設計人員現在可以利用性能更高、體積更小、熱效率更高且成本相當的氮化鎵元件實現卓越的設計。」

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵(eGaN)的功率管理器件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器雷射雷達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註册商標。關注EPC公司:LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡方式 :

宜普電源轉換公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])

BRC Solar GmbH, Gehrnstrasse 76275, Ettlingen Germany
Contact: Winona Kremb, tel: +49 7243 924 1660, email: [email protected]
https://brc-solar.de