新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

基於GaN FET封裝兼容的解決方案可實現性能和成本優化並同時提高功率密度和熱性能

分類: 新聞稿
基於GaN FET封裝兼容的解決方案可實現性能和成本優化並同時提高功率密度和熱性能

宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306,為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案,包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者,新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306,用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器,以及 D 類音頻放大器

EPC2306 GaN FET具有超小的導通電阻(僅爲 3.8 mOhm)以及非常小的QG、QGD 和 QOSS 參數,可實現低導通和開關損耗。它採用耐熱增强型 QFN 封裝,從頂部散熱,佔板面積是3 mm x 5 mm,為最高功率密度應用提供超小型化的解決方案。

EPC2306 與之前推出的100 V、1.8 mOhm EPC2302 都是封裝兼容,從而允許設計工程師在導通電阻與價格之間權衡,在相同PCB佈局兼容兩種元件的封裝尺寸,從而可實現效率或成本優化的解決方案。

宜普電源轉換公司首席執行長兼聯合創始人 Alex Lidow說:「 EPC2306 結合了100 V氮化鎵場效應電晶體的優勢和易於組裝的 QFN 封裝而沒有降低性能。設計人員可以利用我們的封裝 GaN FET 系列,實現用於電動汽車和無人機的更輕、以電池供電的 BLDC馬達控制器;用於數據中心、數據通信、人工智慧的更高效 48 V 輸入DC/DC轉換器,以及用於其他工業及消費應用。」

開發板

EPC90145 開發板採用最大元件電壓為100 V、最大輸出電流為45 A 的半橋元件 EPC2306 GaN FET,旨在簡化評估過程以加快產品推出市場時間。 這款 2“ x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)開發板專為實現最佳開關性能而設計和包含了所有關鍵組件,便於評估。

價格和供貨

EPC2306以1000片爲單位批量購買,每片價格為3.08美元。

EPC90145開發板的單價為200美元。

所有元件和開發板都可從Digi-Key立即發貨,網址為https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc

有興趣用GaN解決方案替換其矽MOSFET的設計人員可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具,根據您所需的特定工作條件,我們會推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網頁找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵(eGaN)的功率管理器件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器雷射雷達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註册商標。關注EPC公司:LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡方式 :

宜普電源轉換公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])