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EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵元件, 讓高功率密度應用實現靈活設計

分類: 新聞稿
EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵元件, 讓高功率密度應用實現靈活設計

宜普電源轉換公司 (EPC) 推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET,讓高功率密度應用實現更高的性能和更小的解決方案,包括 DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器,以及馬達控制器。

EPC是增强型氮化鎵 (eGaN®)功率FET和IC領域的全球領導者,新推採用更耐熱的QFN封裝且可立即發貨的150 V EPC2308氮化鎵元件,用於電動工具和機器人的馬達控制器、用於工業應用的80 V/100 V高功率密度 DC/DC轉換器、用於充電器、適配器和電源供電的28V~54V同步整流器、智能手機USB快速充電器,以及太陽能優化器和微型逆變器。

EPC2308 GaN FET具有超小的導通電阻(RDS(on)),典型值僅為4.9 mOhm,而且QG、QGD和QOSS的參數非常小,可實現低導通和開關損耗。它採用耐熱增强型QFN封裝,佔板面積僅為3 mm x 5 mm,為最高功率密度應用提供極小型化的解決方案。該封裝提供可濕潤側面以簡化組裝和檢查,而且頂部外露和具超低熱阻,從而可以通過散熱器實現高效散熱和更低的操作溫度。

EPC2308與之前發佈的100 V、1.8 mOhm EPC2302和100 V、3.8 mOhm EPC2306的封裝兼容。

宜普電源轉換公司首席執行長兼聯合創始人Alex Lidow說:「EPC2308結合了150 V GaN FET的優勢和易於組裝、更耐熱的QFN封裝。設計人員可以利用封裝GaN FET系列,實現用於電動汽車和無人機的更小、更輕和以電池供電的BLDC馬達控制器、更高效的80 V輸入DC/DC轉換器、更高效的USB充電器和電源供電等應用。」

開發板

EPC90148開發板採用最大元件電壓爲 150 V、最大輸出電流爲12 A的半橋元件EPC2308 GaN FET,旨在簡化評估過程以加快產品推出市場時間。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)開發板專為實現最佳開關性能而設計和包含了所有關鍵元件,便於評估。

價格和供貨

EPC2308以1000片為單位批量購買,每片價格為3.75美元。

EPC90148開發板的單價爲200美元。

所有元件和開發板都可從Digi-Key立即發貨,網址為https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc

有興趣用GaN解決方案替換其矽MOSFET的設計人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具,根據您所需的特定工作條件,我們將推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網頁找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵(eGaN)的功率管理器件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器雷射雷達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註册商標。關注EPC公司:LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡方式 :

宜普電源轉換公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])