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採用新型車規級EPC GaN FET設計更高解析度光達系統 以實現更先進的自主式系統

分類: 新聞稿
採用新型車規級EPC GaN FET設計更高解析度光達系統 以實現更先進的自主式系統

EPC推出80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)EPC2252,為設計人員提供比矽MOSFET更小和更高效的解決方案,用於車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

作為增强型氮化鎵 (eGaN®)FET和IC的全球領導者,宜普電源轉換公司(EPC)進一步擴大已有現貨供應的車規級氮化鎵電晶體系列,推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm封裝內提供75 A脉衝電流的EPC2252,比矽MOSFET更小和更高效,適用於自動駕駛和其他先進駕駛輔助系統應用中的車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

在高頻工作時,氮化鎵電晶體具有更低的開關損耗、更低的傳導損耗、零反向恢復損耗和更低的驅動功率,可實現高效率。結合極小的佔板面積,這些優勢可實現最高功率密度。

氮化鎵電晶體具備快速開關、亞奈秒級轉換和在短於3 ns時間內可生成大電流脉衝的優勢,使光達在自動駕駛、停泊車輛和防撞方面看得更遠和解析度更高。

EPC聯合創始人兼首席執行長Alex Lidow說:「EPC2252是車規級光達、低電感馬達控制器和48 V DC/DC轉換的理想開關。我們致力於為汽車市場擴大氮化鎵產品系列,以實現高效、低成本的汽車電氣化和自動駕駛。」

價格和供貨

EPC2252以1000片為單位批量購買,每片價格為0.91美元,可從Digi-Key立即發貨,網址爲https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc

有興趣用GaN解決方案替換其矽MOSFET的設計人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具,根據您所需的特定工作條件,我們會推薦合適的替代方案。交叉參考工具可在以下網頁找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵(eGaN)的功率管理器件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器雷射雷達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註册商標。關注EPC公司:LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡方式 :

宜普電源轉換公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])