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氮化鎵電晶體已經準備好在這個黃金時間搶攻市場嗎?

分類: 技術文章

作者:宜普公司首席執行長Alex Lidow博士
日期:在2012年7月2日刊載於Power Pulse.NET網站

大約在2005年Eudyna 與Nitronex首次推出耗盡型射頻電晶體時,氮化鎵電晶體已經出現。之後有很多新的公司加入引進射頻電晶體(如RFMD, Triquint, Cree, 飛思卡爾, Integra, HRL, M/A-COM及其它公司),以及在電源轉換應用為替代功率MOSFET而設計的電晶體(如Transphorm, 國際整流器公司, GaN Systems, microGaN及宜普電源轉換公司)。本論文主要在討論這個熱鬧的科研現象是代表氮化鎵電晶體已經準備好替代功率MOSFET嗎?如果是,原因是什麼呢?

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