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Exploring gallium nitride technology

分類: 技術文章

雜誌:EE Times Asia
日期:2013年5月16日

作為替代MOSFET器件的氮化鎵(GaN)功率器件在商用直流-直流電源轉換的應用已發展了三年,隨著氮化鎵器件暫露頭角,加上以前使用MOSFET的場效應電晶體而不能實現的應用也可以使用氮化鎵器件來實現,對於氮化鎵功率器件的開發者來說,以前想不到及還沒有開發的全新應用將提供大有可為的發展機遇。

http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM