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宜普推出內含100 V氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)開發板

分類: 新聞稿

EPC9010開發板採用專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的柵極驅動器,幫助工程師利用100 V的EPC2016氮化鎵場效應電晶體快速設計出高頻開關電源轉換系統。

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年3月宣佈推出EPC9010開發板。這種開發板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體(FET)來設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、D類音訊放大器、硬開關和高頻電路。

EPC9010開發板是一種100 V峰值電壓、7 A最大輸出電流的半橋電路設計,內含EPC2016增強型氮化鎵場效應電晶體,並同時配合板載柵極驅動器。推出EPC9010開發板的目的是簡化評估氮化鎵場效應電晶體的過程,因為板上集成了所有關鍵元件,因此易於與目前任何轉換器連接。

EPC9010開發板尺寸為2英寸x1.5英寸,不僅包含了帶柵極驅動器且採用半橋配置的兩個EPC2016 氮化鎵場效應電晶體及德州儀器的柵極驅動器(LM5113),而且包含電源和旁路電容。EPC9010開發板集成了所有關鍵元器件及佈局,以實現最優開關性能。電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。

隨開發板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf,使用戶可以更容易使用開發板。

EPC9010開發板的單價為99.18美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])