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宜普開發板展示200 V氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)可使設計電源系統變得容易

分類: 新聞稿

EPC9004開發板內含氮化鎵場效應電晶體及採用德州儀器公司專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的閘極驅動器

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年2月5日宣佈推出採用增強型氮化鎵場效應電晶體的EPC9004開發板, 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而優化的積體電路閘極驅動器,可幫助設計工程師簡單地及以低成本從矽功率電晶體改為採用更高效的氮化鎵場效應電晶體。

EPC9004開發板是一種200 V峰值電壓、2 A最大輸出電流的半橋電路設計,內含EPC2012氮化鎵場效應電晶體,並同時配合德州儀器公司的快速閘極驅動器(UCC27611),從而縮短設計高頻及高效電源系統的時間及減少設計的複雜性。

推出EPC9004開發板的目的是簡化評估高效氮化鎵場效應電晶體的過程,因為這種開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件,因此易於與目前任何轉換器連接。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發板一起提供的還有一份供客户參考的速查指南,使客户可以更容易使用開發板。

受益于200 V的EPC2012電晶體的應用包括無線電源充電、磁力共振掃描及具低射頻的應用如智慧型儀器表通信設備。

EPC9004開發板的單價為95美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])