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宜普電源轉換公司與電子工程專輯舉辦第一屆GaN氮化鎵電晶體 – 高效電源轉換設計作品評選大賽

分類: 新聞稿

創新幾乎就是工程師的“專利”。為了鼓勵優秀的工程師利用領先業界的氮化鎵場效應電晶體(Gallium Nitride Field-effect Transistors)創新設計,電子工程專輯特別與宜普電源轉換公司發起“第一屆GaN氮化鎵電晶體 – 高效電源轉換設計作品評選大賽”,讓工程師在企業家、科研工作者和電子愛好者們的關注下,以書面寫作形式(中文或英文)利用任何宜普氮化鎵場效應電晶體設計出以下作品:

(1) 直流-直流電源轉換器解決方案;或
(2) D類 / E類音訊放大器解決方案。

主辦單位所邀請的專家評審將評選出三個最為優秀的設計產品/方案。參賽者可以以個人身份報名,也可以以團隊身份報名。

參賽流程須知

1、 從電子工程專輯下載報名表格( 下載表格 ) 。
2、 填寫好所有的相關資料,連同以書面形式呈現的作品檔檔案,發送郵件至[email protected]。郵件標題中請注明“GaN氮化鎵電晶體–高效電源轉換設計作品評選大賽”。
3、 詳細的設計規則及參賽流程請流覽http://bit.ly/eGaN_DesignContest

截止報名日期

報名表必須在 現在至2013年1月18日23點59分以前提交(以郵件發送時間為準)。截止時間後提交作品將不入圍獲獎名單。

評選流程

1、 專家評審們將對所有參賽作品根據創新、創意和商業前景三方面進行評選,並評選出前三名作品。
2、 電子工程專輯將會在網站進行本次活動的全程報導,

公佈獲獎作品日期

我們將於2013年2月4日透過電子工程專輯於網上發佈獲獎作品。

獎項

獲獎作品除可獲得專業評點、專題報導並向環球企業推薦外,還將獲得宜普公司頒贈開發板EPC9102給前三名得獎者,機會難得。