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領先業界的宜普公司氮化鎵場效應電晶體獲電子設計技術雜誌頒發2012年度優秀產品獎

分類: 新聞稿

宜普公司(www.epc-co.com) 宣佈獲得電子設計技術雜誌頒發2012年度創新獎(電源器件與模組組別)之優秀產品獎。今年是電子設計技術雜誌紮根中國第八個年頭,它通過全球電子設計工程師網友及經理的投票與專家選評取得結果,為電子產業內最具影響力和權威的獎項。

宜普公司首席執行長Alex Lidow 說“我們非常榮幸獲得電子設計技術雜誌頒發獎項,並得到業界工程師的支援,作為在市場的主導產品,EPC2012是我們氮化鎵場效應電晶體系列中成員之一,為客戶所採用的更高性能並能替代矽基MOSFET器件的產品”。

EPC2012器件為第二代200 V、具高頻開關及增強性能的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET),並使用無鉛以及符合RoHS (有害物質限制) 條例的封裝。

EPC2012 场效应晶体管是一款面積為1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件、 RDS(ON) 最大值是100 mΩ,閘極電壓為5 V,脈衝額定電流為15 A、 因此在較低閘極電壓時, 其性能得以全面增強。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2012體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益於eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、無線電源傳送、射頻波峰追蹤、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

eGaN FET 的設計資訊及支援

關於電子設計技術雜誌(EDN China)

全球70多家公司的128項產品參加了本屆電子設計技術雜誌2012年度創新獎「最佳產品獎」的角逐,技術分類包括9 大技術類別 :電源器件與模組、嵌入式系統、微處理器與 DSP、可程式設計器件、類比與混合信號 IC、測試與測量、開發工具 與軟體、無源器件與感應器,以及通訊與網路IC。此外還頒發了“工程師最喜愛的分銷商獎”、“本土創新公司獎”和“創新工程師”獎項。電子設計技術雜誌于超過20年前始創為國內第一本專注電子設計及知識交流的平臺,目前其網站擁有超過400,000註冊使用者。詳情請瀏覽www.ednchina.com.

宜普公司簡介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效LED照明及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、包络追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器、高效LED照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com 。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體請與Winnie Wong ([email protected]) 聯繫。