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宜普電源轉換公司被評選為“電子工程專輯 Silicon 60”高新科技新創企業之一

分類: 新聞稿

增強型氮化鎵場效應電晶體技術的領先供應商宜普電源轉換公司被評選為“電子工程專輯 Silicon 60”高新科技新創企業之一。這些公司是電子工程專輯的編輯團隊根據各公司所發展的技術、目標市場、成熟度、財政狀況、投資規模和行政人員的領導才能等多種考量標準而評選出來的。

宜普公司首席執行長Alex Lidow說非常榮幸被評選為最熱門的新興電子公司之一,及感謝電子工程專輯對宜普公司的評價為“一家值得闗注的新興企業”。

與先進的 矽功率MOSFET相比,宜普氮化鎵場效應電晶體的尺寸更小及器件的開關性能高出很多倍。受惠于氮化鎵場效應電晶體的增強性能的應用包括射頻波峰追踪、無線電源傳送、高效直流-直流電源、負載點轉換器及D類音頻放大器。宜普也發佈了氮化鎵技術的成本將低於矽功率MOSFET及可以替代日益受限、價值幾十億美元的功率MOSFET和IGBT市場的進程。

如欲取得宜普公司氮化鎵場效應電晶體產品系列的詳盡資料,請瀏覽 http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])

標籤: 獎項