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宜普電源轉換公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)在安全工作區域具備優異性能

分類: 新聞稿

氮化鎵場效應電晶體具有正溫度係數, 因而在安全工作區域的電壓及電流等條件的範圍下,它具有更卓越的性能而能夠解決矽MOSFET器件在性能上的限制。

宜普公司將發佈所有氮化鎵場效應電晶體在安全工作區域的資料。該器件具有正溫度系數, 因而在安全工作區域範圍內只有一個小區域受限於器件的平均溫度。

安全工作區域的資料可以顯示器件在具阻抗的結點的散熱能力,其散熱能力越高,器件越具更低的熱阻,並使器件在安全工作區域的電壓及電流等條件的範圍下,具有更卓越的性能而不會發生故障。

與功率MOSFET相比,宜普的氮化鎵場效應電晶體在目前的高效應用中具有更卓越的優勢,它具有優異的RDS(ON)阻抗值及正溫度係數,防止在晶片內產生發熱點,致使氮化鎵場效應電晶體可以在安全工作區域工作時具有更卓越的性能而不會發生故障。

宜普的氮化鎵場效應電晶體的安全工作區域的應用手冊刊載于: http://epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdf此外,宜普公司將更新產品的資料表,包括列明每一個器件在安全工作區域內的性能的曲線圖。

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宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、以太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com 。

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商標

eGaN® 乃Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])