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EPC2010獲得第七屆電子設計技術雜誌頒發“中國創新大獎 - 優秀產品獎

分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com;www.epc-co.com.tw )宣佈EPC2010獲得中國電子設計技術雜誌(EDN China)頒發2011年度中國創新大獎-優秀產品獎(电源類)。頒獎典禮在2011年12月1日於上海舉行。“中國電子設計技術雜誌-中國創新獎”在2005年創辦,是一項備受業內電子設計工程師和經理推崇和關注的年度活動。

EPC2010為第二代200VeGaN場效應電晶體,具更快開關速度及更卓越性能,不僅環保、不含鉛,並且用符合RoHS(有害物質限制)指令的封裝。

EPC2010 FET是一款200VDS器件,最大RDS(ON)值為25mΩ,柵極施加電壓是5V。EPC2010提高脈衝電流額定值至60A(而EPC1010是40A),並且改進了很低柵極電壓時的RDS(ON)值,電容值也更低。 與具有相同導通電阻值的先進矽功率MOSFET相比,EPC2010體積更小,開關性能更高出許多倍。受益于更高性能eGaN FET的應用很多,其中包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音訊放大器、硬體開關和高頻電路。

EPC2010的應用筆記及數據表可以分別點擊這裡: http://epc-co.com/epc/documents/product training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdfhttp://epc-co.com/epc/Products.aspx

“我們感到非常榮幸EPC2010獲得EDN China創新獎及被表彰為業界優秀產品。EPC2010是我們的客戶用來替代矽基MOSFET的eGaN FET系列的其中一個高性能產品,"宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow說。

中國電子設計技術雜誌簡介

2011年中國電子設計技術雜誌-中國創新大獎的獎項包括9大技術類別:電源元件與模組、嵌入式系統、微處理器與DSP、可程式設計元件、類比與混合信號、測試與測量、開發工具與軟體、無源元件與感測器及通信與網路。同時還有評選工程師最喜愛的分銷商獎。作為中國首家專注電子設計的媒體,EDN China在國內已有17年歷史。ednchina.com 網站的註冊使用者目前已達40萬人。詳情請瀏覽www.ednchina.com

 

 

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN®) FET,其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、蜂窩手機、基站、微型逆變器及D類音頻放大器,元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com / www.epc-co.com.tw。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的注冊商標。