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宜普電源轉換公司(EPC)推出第二代100V及30mΩ功率電晶體,進一步擴大其業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列範圍

分類: 新聞稿

EPC2007採用符合RoHS (有害物質限制) 條例要求的無鉛封裝,以增強其高頻開關性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com )宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2007。EPC2007具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例要求。

EPC2007 FET是一款面積為1.87平方毫米的100VDS及6V元件,當閘極電壓為6V 時, RDS (ON) 最大值是30mΩ。與前代EPC1007元件相比,新一代EPC2007元件具有明顯更高的性能優勢 — — 其性能在更低閘極電壓時得到全面增強,並且具有更好的抗快速開關瞬變性能。

與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2007體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括硬開關和高頻電路,例如隔離DC/DC電源、負載點轉換器及D類音頻放大器。

“我們最新推出的EPC2007產品進一步擴大業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列範圍。與矽基MOSFET相比,電源設計工程師可利用EPC2007提高電源轉換系統效率及縮小系統尺寸。” 共同創始人兼首席執行長Alex Lidow表示。

EPC2007在一千批量時其單價為1.31美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

技術支援

EPC2007 eGaN FET應用手冊詳細列明其增強了的性能,網址為 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf

表1:EPC2007指標額定值總結

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音頻放大器,元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體連絡人:

Joe Engle ([email protected])
Winnie Wong ([email protected])