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宜普電源轉換公司宣佈推出全新開發板,專為使用增強型氮化鎵(eGaN®)FET的系統而設

分類: 新聞稿

EPC9005開發板可幫助設計工程師快速開發基於40V EPC2014的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好和易於連接的開發板, 我們更備有它的技術支援資料,並已完善歸檔。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9005開發板,這種開發板能使使用者更方便地使用宜普40V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

EPC9005開發板是一種40V最大輸入電壓、7A最大輸出電流、並帶板載閘極驅動器的半橋電路設計及採用EPC2014 40V FET。 eGaN推出這種開發板的目的是簡化評估EPC2014 eGaN FET的過程,因為EPC9005是塊單板,上面集成了所有關鍵元件,可以方便地連接任何現有轉換器。

EPC9005開發板尺寸為2英寸x1.5英寸,不僅包含了帶閘極驅動器且採用半橋配置的兩個EPC2014 eGaN FET,而且包含有板載閘極驅動電源和旁路電容。EPC9005開發板集成了所有關鍵元件及佈局,以實現最優異開關性能。電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。

隨EPC9005開發板一起提供的還有一份供使用者參考和易於使用的快速入門指南 (http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9005_qsg.pdf)。

EPC9005開發板單價為95美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

eGaN設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音頻放大器,元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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Winnie Wong ([email protected])