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宜普電源轉換公司(EPC)推出第二代200V及100mΩ功率電晶體,進一步擴大其業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列領域

分類: 新聞稿

EPC2012採用符合RoHS (有害物質限制) 條例的無鉛封裝,以增強其高頻開關性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。

EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS元件,RDS(ON)最大值是100mΩ,閘極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN元件明顯更高的性能優勢。EPC2012的脈衝額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在較低閘極電壓時,其性能得以全面增強,而且由於提高了QGD/QGS比率,EPC2012還具有優異的dv/dt抗干擾性能。

與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2012體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

“隨著宜普氮化鎵場效應電晶體產品系列的不斷擴展,氮化鎵場效應電晶體的性能標杆得以進一步提升。另外,這種新一代eGaN產品是業界首批不含鉛及符合RoHS要求的器件。”共同創始人兼首席執行長Alex Lidow表示。

EPC2012在一千批量时其單價为2.1美元,客户可以透过DigiKey公司在網上購買,網址為 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

技術支援

EPC2012 eGaN FET應用手冊詳細列明其增強了的性能,網址為:http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf

表1:EPC2012指標額定值總結

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音頻放大器,元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請流覽我們的網站www.epc-co.com。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

聯繫人:

Joe Engle ([email protected])
Winnie Wong ([email protected]