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宜普電源轉換公司宣佈推出全新開發板,幫助使用增強型氮化鎵場效應電晶體 (eGaN® FET) 客户快速開發電源轉換電路和系統

分類: 新聞稿

EPC9004開發板可幫助設計工程師快速開發基於200V EPC2012的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好及易於連接的開發板,並備有完善歸檔的技術支援資料。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9004開發板,這種開發板能使客户更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品,其應用範圍廣泛,如太陽能微型逆變器、D類音訊放大器、以太網供電(PoE)系統和同步整流器。

EPC9004開發板是一種200V最大輸入電壓、2A最大輸出電流並帶板載閘極驅動器的半橋電路設計及採用EPC2012 200V eGaN FET。推出這種開發板的目的是簡化評估EPC2012 eGaN FET的過程,因為EPC9004是塊單板,上面集成了所有關鍵元件,可以方便地連接任何現有轉換器。

EPC9004開發板尺寸為2英寸x1.5英寸,不僅包含了帶閘極驅動器且採用半橋配置的兩個EPC2012 eGaN FET,而且包含有板載閘極驅動電源和旁路電容。電路板上還設計有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨EPC9004開發板一起提供的還有一份可供客户參考和方便使用的快速入門指南 (http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9004_qsg.pdf)。

EPC9004開發板單價為95美元,就像EPC其他產品一樣,客戶可以透過 DigiKey公司在網上購買,網址為 http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

eGaN設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音訊放大器,元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請流覽我們的網站www.epc-co.com 。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

聯繫人:

Joe Engle ([email protected])
Winnie Wong ([email protected])