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氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度

分類: 技術文章

宜普產品應用總監David Reusch博士 /銷售及推廣副總裁Stephen L.Colino

在24 V直流系統裡採用的傳統負載點轉換器,設計工程師需要權衡使用一個高成本的隔離型轉換器及使用一個低頻及低效的降壓轉換器。與通常在電腦系統裡使用的12 V負載點轉換器相比,較高壓的24 V負載點轉換器因為需要考慮開關節點的振鈴而需增加場效應電晶體的電壓至最少達40 V,以及增加換向損耗及輸出電容損耗。宜普公司的氮化鎵場效應電晶體由於具備超低QGD性能,從而可實現低換向損耗,並具備低QOSS性能,以實現較低輸出電容損耗。

此外,宜普公司的氮化鎵場效應電晶體具備創新的晶片級柵格陣列封裝,在高頻功率環路及閘極驅動環路,及最重要的在這些環路的共通路徑(稱共源電感)都可容許超低電感,從而把換向損耗減至最低。氮化鎵器件的低電荷及共源電感可幫助設計工程師通過提高頻率使功率密度得以提高而並沒有像傳統MOSFET器件那樣需要折衷效率。

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