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宜普公司擴大其產品系列,推出全新150 V功率電晶體

分類: 新聞稿

EPC2018 氮化鎵功率電晶體於直流-直流電源轉換及D類音頻放大器的應用發揮卓越性能及實現高頻開關

宜普電源轉換公司2013年9月宣佈推出增強型氮化鎵功率電晶體系列產品中的最新成員- EPC2018。

EPC2018 電晶體為5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件,其最大RDS(on)為25 mΩ,在柵極電壓為 5 V。它可以實現更高性能,因為它具備超高開關頻率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具備超小型封裝。

與先進矽功率MOSFET器件相比,雖然阻抗相同,EPC2018 器件具備超小型封裝及在開關性能方面比矽功率MOSFET器件高出很多倍。受惠於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、D類音頻放大器及許多需要納秒開關速度的電路等應用。

宜普公司創辦人及首席執行長Alex Lidow 稱“EPC2018 器件進一步替我們氮化鎵場效應電晶體系列開拓新天地。在功率轉換應用中,它提供低阻抗、低輸出電容、快速開關及因器件沒有反向恢復而可減少開關損耗。在D類音頻放大器應用中,它可以提高效率及改善音質。”

EPC2018器件在一千批量時的單價為6.54美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為 Digi-Key Corporation

關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計資料及技術支援的資料


表一:EPC2018 Specification Ratings總覽

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器 、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、遙距感測技術(LiDAR)及D類音頻放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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可以找到EPC,也可以在我們的網頁 www.epc-co.com.tw 註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

EWinnie Wong ([email protected])