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高頻功率轉換器件的封裝的考慮因素

分類: 技術文章

在開關頻率10 MHz或以上,電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件,由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)提供無可匹敵的器件性能及封裝,因此可以在高頻時提高電源轉換效率。

Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月