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Design Higher Resolution Lidar Systems with New Automotive-Qualified GaN FET for Advanced Autonomy from EPC

Design Higher Resolution Lidar Systems with New Automotive-Qualified GaN FET for Advanced Autonomy from EPC

EPC introduces the 80 V, AEC-Q101-qualified EPC2252 GaN FET, offering designers significantly smaller and more efficient solutions than silicon MOSFETs for automotive-grade lidar, 48 V – 12 V DC-DC conversion, and low inductance motor drives.

EL SEGUNDO, Calif. — January 2023 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (eGaN®) FETs and ICs, expands the selection of automotive, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the 80 V, 11 mΩ EPC2252 that delivers 75 A pulsed current in a 1.5 mm x 1.5 mm footprint. The EPC2252 offers power system designers significantly smaller and more efficient devices than silicon MOSFETs for automotive-grade lidar found in autonomous driving and other ADAS applications, 48  V – 12 V DC-DC conversion, and low inductance motor drives.

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新型80 V、15 A eToF™雷射驅動器GaN IC 可實現更高功率密度和更具成本效益的光達系統設計

新型80 V、15 A eToF™雷射驅動器GaN IC 可實現更高功率密度和更具成本效益的光達系統設計

宜普電源轉換公司(EPC)推出新型氮化鎵積體電路EPC21701,這是一款 80 V雷射驅動器IC,可提供15 A脉衝電流,適用於飛行時間(ToF)光達應用,包括真空吸塵器、機器人、3D安全攝像頭和 3D感測器。

EPC 宣佈推出EPC21701,這是一款單晶片雷射驅動器,包含80 V、40 A FET、閘極驅動器和3.3邏輯電平輸入,用於飛行時間光達系統,包括用於機器人、監控系統和真空吸塵器。 它專為用於手勢識別、飛行時間 (ToF)測量、機器人視覺或工業安全的光達系統量身定制。

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立錡科技與宜普電源轉換携手推出小型化、140 W快充解决方案

立錡科技與宜普電源轉換携手推出小型化、140 W快充解决方案

宜普電源轉換公司(EPC)和立錡科技(Richtek)携手推出新型快充參考設計,使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204,可實現超過98%的效率。

宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計,可將12 V~24 V的輸入電壓轉換爲5 V~20 V的穩壓輸出電壓,並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流。與高功率密度應用的傳統解決方案相比,新型RT6190控制器與EPC的超高效氮化鎵場效應電晶體EPC2204相結合,使得解決方案尺寸可縮小20%以上,而且在20 V和12 V輸出電壓下,可實現超過98%的效率。在不需使用散熱器和5 A連續電流下,20 V轉5 V的最大升溫低於攝氏15度,而12 V轉20 V的最高升溫則低於·攝氏55度。

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Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC

Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

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New Automotive Qualified GaN FETs for Vehicle Electronics and Advanced Autonomy from EPC

New Automotive Qualified GaN FETs for Vehicle Electronics and Advanced Autonomy from EPC

EPC introduces two new 80 V AEC-Q101 qualified GaN FETs, offering designers significantly smaller and more efficient solutions than silicon MOSFETs for automotive 48 V- 12 V DC-DC conversion, infotainment, and lidar for autonomous driving.

EL SEGUNDO, Calif. — November 2022 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (eGaN®) FETs and ICs, expands the selection of automotive, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of 80 V, 6 mΩ EPC2204A that delivers 125 A pulsed current in a 2.5 mm x 1.5 mm footprint and the 80 V, 3.2 mΩ EPC2218A that delivers 231 A pulsed current is a 3.5 mm x 1.95 mm footprint, offering designers significantly smaller and more efficient devices than silicon MOSFETs for automotive DC-DC for 48V-12V conversion, infotainment, and lidar for autonomous driving.

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宜普電源轉換公司與世界先進公司宣布合作生產八吋氮化鎵晶圓

宜普電源轉換公司與世界先進公司宣布合作生產八吋氮化鎵晶圓

宜普電源轉換公司(EPC) 與世界先進積體電路股份有限公司(VIS) 攜手合作生產八吋氮化鎵晶圓,透過VIS高品質的製造能力,進一步强化EPC在氮化鎵功率轉換市場的領導地位。

發佈單位:宜普電源轉換公司、世界先進公司

發佈日期:111年12月6日

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EPC Launches a New Generation of eGaN Technology that Doubles Performance

EPC Launches a New Generation of eGaN Technology that Doubles Performance

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 80 V, 4 mOhm EPC2619 GaN FET in tiny 1.5 mm x 2.5 mm footprint, offering higher performance and smaller solution size than traditional MOSFETs for high power density applications, including DC-DC conversion, motor drives, and synchronous rectification for 12 V – 20 V.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) power FETs and ICs, launches the 80 V, 4 mOhm EPC2619. This is the lead product for a new generation of eGaN devices that have double the power density compared to EPC’s prior-generation products.

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Solarnative Uses GaN Devices to Solve the Challenge of Solar Power Installation with its New Microinverter that Integrates into the Module Frame

Solarnative Uses GaN Devices to Solve the Challenge of Solar Power Installation with its New Microinverter that Integrates into the Module Frame

GaN FETs help Solarnative achieve industry-leading power density for solar microinverters, enabling module frame integration to solve the challenges of solar power installation.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 Solarnative uses GaN devices in its new microinverter to achieve industry-best power density.  The Power Stick is the smallest inverter in the world, with dimensions of 23.9 by 23,2 by 404 millimeters. With an AC output power of 350 W, the volume of 0.19 liters corresponds to a power density of 1.6 kW per liter. By comparison, the IQ 7A microinverter from a market leading supplier delivers 349 watts with a volume of 1.12 liters, corresponding to 0.31 kW per liter – not even one-fifth of the Solarnative device. Despite the extreme size reduction, the European efficiencies are quite comparable, at 96.0 percent for the Power Stick and 96.5 percent for the IQ 7A.

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EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵元件, 讓高功率密度應用實現靈活設計

EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵元件, 讓高功率密度應用實現靈活設計

宜普電源轉換公司 (EPC) 推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET,讓高功率密度應用實現更高的性能和更小的解決方案,包括 DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器,以及馬達控制器。

EPC是增强型氮化鎵 (eGaN®)功率FET和IC領域的全球領導者,新推採用更耐熱的QFN封裝且可立即發貨的150 V EPC2308氮化鎵元件,用於電動工具和機器人的馬達控制器、用於工業應用的80 V/100 V高功率密度 DC/DC轉換器、用於充電器、適配器和電源供電的28V~54V同步整流器、智能手機USB快速充電器,以及太陽能優化器和微型逆變器。

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GaN IC縮小馬達控制器和加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間

GaN IC縮小馬達控制器和加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間

EPC9176是一款基於氮化鎵元件的逆變器參考設計,增强了馬達控制系統的性能、續航能力、精度和扭矩,同時簡化設計。該逆變器尺寸極小,可集成到電機外殼中,從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9176。這是一款三相BLDC馬達控制逆變器,採用EPC23102 ePower™ 功率級GaN IC,內含閘極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作,可提供高達28 Apk(20 ARMS)的電流。這種電壓範圍和功率使該解決方案非常適合用於各種36V~80 V輸入的三相BLDC馬達控制應用,包括電動自行車、電動滑板車、電動工具、無人機、機器人、直流伺服、醫療機器人和工廠自動化。

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EPC Opens New Motor Drive Center of Excellence

EPC Opens New Motor Drive Center of Excellence

New Motor Drive Center of Excellence (CoE) design center in Turin, Italy, to help customers exploit the power of GaN for growing motor drive applications

EL SEGUNDO, Calif.— September, 2022 —   EPC has opened a new design application center near Turin, Italy, to focus on growing motor drive applications based on GaN technology in the e-mobility, robotics, drones, and industrial automation markets.  The specialist team will support customers in accelerating their design cycles and define future Integrated Circuits for power management with state-of-the art equipment to test applications from 400 W to 10’s of kW.

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基於GaN FET封裝兼容的解決方案可實現性能和成本優化並同時提高功率密度和熱性能

基於GaN FET封裝兼容的解決方案可實現性能和成本優化並同時提高功率密度和熱性能

宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306,為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案,包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者,新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306,用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器,以及 D 類音頻放大器

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BRC Solar的新一代太陽能優化器採用EPC的100 V氮化鎵元件(eGaN FET)

BRC Solar的新一代太陽能優化器採用EPC的100 V氮化鎵元件(eGaN FET)

BRC Solar公司的新型M500/14功率優化器採用EPC公司的100 V 氮化鎵元件(EPC2218),它的佔板面積小,可實現更高的頻率和額定功率。

BRC Solar公司憑藉其功率優化器徹底改變了光伏市場的發展、提高了光伏電站和系統的發電量和性能。其新一代M500/14 功率優化器採用了宜普電源轉換公司的EPC2218(100 V的場效應電晶體),實現了更高的功率密度,因為GaN FET的低功耗和小尺寸使關鍵負載電路更加緊凑。而GaN FET的小寄生電容和電感可實現沒有雜訊的開關和良好的EMI特性。GaN FET的另一個優點是沒有反向恢復損耗。

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35 A ePower功率級積體電路讓您實現更高的功率密度和簡化設計

35 A ePower功率級積體電路讓您實現更高的功率密度和簡化設計

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower™功率級積體電路,它整合了整個半橋功率級,可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流,為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案,包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V、35 A的積體電路,專爲48 V DC/DC轉換而設計,用於高密度運算應用和面向電動汽車、機器人和無人機的48 V BLDC馬達控制器

EPC23102 eGaN 積體電路可實現100 V的最大耐受電壓、實現高達35 A的負載電流和高於1 MHz的開關速度。

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EPC推出具有最高功率密度和效率的100 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

EPC推出具有最高功率密度和效率的100 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列,新推的100 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案,進一步爲這個產品系列添加第五個成員。

EPC公司宣佈推出100 V、7 mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2,其總劑量等級大於1 Mrad,綫性能量轉移(LET)的單一事件效應(SEE)抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014EPC7007EPC7019EPC7018元件都是採用晶片級封裝,這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)和IC相同。封裝元件將由EPC Space提供。

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EPC新推於市場上具有最低導通電阻的100 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

EPC新推於市場上具有最低導通電阻的100 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列,新推的100 V元件用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境的電源轉換解決方案,與目前市場上的任何100 V耐輻射電晶體相比,它具有最低的導通電阻。

EPC公司宣佈推出100 V、3.9 mΩ、345 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7018 r,尺寸爲13.9 mm2,其總劑量等級大於1 Mrad,綫性能量轉移(LET)的單一事件效應(SEE)抗擾度爲85 MeV/(mg/cm2)。與EPC7014、EPC7007和EPC7019耐輻射產品系列相同,都是採用晶片級封裝。封裝元件由EPC Space.提供。

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EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺, 旨在協助工程師加速研發基於高性能氮化鎵元件的功率系統和加快產品上市步伐

EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺, 旨在協助工程師加速研發基於高性能氮化鎵元件的功率系統和加快產品上市步伐

宜普電源轉換公司(EPC)新推綫上論壇,為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現狀和發展趨勢。

宜普電源轉換公司宣佈新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產品信息和技術支持,從而瞭解氮化鎵(GaN)技術的應用現狀和發展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業學生和所有氮化鎵技術愛好者而設,為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"連結參看所有之前的提問和反饋。

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氮化鎵積體電路縮小了用於電動自行車和無人機的馬達控制器

氮化鎵積體電路縮小了用於電動自行車和無人機的馬達控制器

基於氮化鎵元件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面,優化了電機系統,而且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中,從而把EMI減到最小、實現最高的功率密度和最輕的重量。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9173,它是一款三相無刷直流馬達驅動逆變器,採用具備嵌入式閘極驅動器功能的EPC23101 eGaN®積體電路和一個3.3 mΩ 導通電阻的浮動功率氮化鎵場效應電晶體。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作,峰值電流可高達50 Apk(35 ARMS)。這種電壓範圍和功率水平使該解決方案成為各種馬達控制應用的理想元件,包括電動自行車、滑板車、城市汽車、無人機和機器人。

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EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 場效應電晶體,可實現最高功率密度

EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 場效應電晶體,可實現最高功率密度

宜普電源轉換公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應電晶體(EPC2066),為設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件,用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵(eGaN®)功率場效應電晶體和集成電路,新推40 V、典型值爲0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應電晶體,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

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Sensitron and EPC Collaborate to Introduce a High-Power Density 350 V Gallium Nitride (GaN) Half Bridge Intelligent Power Module (IPM) That is 60% Smaller Than Comparable Silicon Solutions and Lower C

Sensitron and EPC Collaborate to Introduce a High-Power Density 350 V Gallium Nitride (GaN) Half Bridge Intelligent Power Module (IPM) That is 60% Smaller Than Comparable Silicon Solutions and Lower C

Sensitron introduces the SPG025N035P1B GaN half-bridge module using the 350 V EPC2050 eGaN® FET from Efficient Power Conversion (EPC)

EL SEGUNDO, Calif.— May 2022, Reducing size and cost were key concerns of Sensitron when designing their latest generation GaN power modules. By replacing traditional silicon FETs with EPC’s 350 V, EPC2050 GaN FET, Sensitron was able to reduce the size of their solution by 60% while also improving the module’s already excellent junction-to-case thermal conduction. The SPG025N035P1B from Sensitron is a high-power density 350 V, 20 A GaN half bridge with an integrated gate drive, optimized for stray inductance and switching performance at 500 khz. Rated at 20 A, the module can be used to control over 3 kW. Sensitron’s proprietary topside cooling technology on this ultra-small, lightweight high power density package (1.10" x 0.70" x 0.14") allows for optimal thermal performance. The SPG025N035P1B was designed for commercial, industrial, and aerospace applications.

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