項目及活動

How2GaN Webinar Series

2021年7月14日星期三 - 2021年8月26日星期四
How2GaN Webinar Series
地點:Online

How2GaN Summer Series Dates: Various
Time: 8:00 AM PDT (5:00 PM CET)

Join the EPC GaN Experts this summer for a series of intensive webinar trainings focused on design techniques to achieve maximum performance in your GaN designs. Each session will last one hour including time for Q&A sessions with our GaN Experts. Webinars will take place bi-weekly throughout July and August and topics will include layout techniques, gate drive, understanding the impact of dead-time, QRR, and COSS, and thermal management.

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Advancements in Thermal Management 會議

2021年8月5日星期四 06:00
Advancements in Thermal Management 會議
地點:虚拟工作坊

小組會議題目:碳化矽和氮化鎵器件的熱管理 主持人 : 電力電子新聞主編(Aspencore)Maurizio Di Paolo Emilio
講者 : EPC 首席執行長 Alex Lidow,UnitedSiC 高級功率應用專家Jonathan Dodge,STMicroelectronics 汽車與分立器件集團副總裁兼研發部門總經理Salvo Coffa

碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導體可顯著提高各種電力電子應用中的系統效率和電流密度。 SiC 和 GaN 元件使電源設計能够優化散熱器和各種外殼中的金屬量。雖然 WBG 元件可以實現更高的工作溫度和更高的效率,但工程師在系統中採用這些元件時,需要考慮熱管理的問題。對於最新一代的GaN和SiC元件,對於設計中的熱管理變得非常重要。

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The 23rd European Conference on Power Electronics and Applications (EPC’21)

2021年9月6日星期一 - 2021年9月11日星期六
The 23rd European Conference on Power Electronics and Applications (EPC’21)
地點:網路研討會

基於氮化鎵元件的三相馬達控制器的死區時間管理 Fabio Mandrilea、Politecnico di Torino Salvatore Musumecia 和 宜普电源转换公司Marco Palma

本文讨论了基于氮化镓场效应晶体管的三相无刷直流电机驱动器的可选死区时间。与硅 MOSFET 相比,氮化镓是宽带隙 (WBG) 技术,具有更高的开关频率。在逆变器应用中,必须在开关信号中插入死区时间,从而避免逆变器发生交叉传导。可选的死区时间是开关时间和逆变器输出波形的折衷。GaN FET可以在数十 纳秒死区时间范围内工作。与硅 MOSFET 相比,本文描述氮化镓技术缩短死区时间,在输出波形失真和速度纹波方面带来明显的优势。此外,相比减少硬件技术,本文评估死区时间补偿技巧,从而展示出氮化镓场效应晶体管可提高软件和硬件资源的效率和节省资源。

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Automotive Lidar 2021

2021年9月21日星期二 - 2021年9月24日星期五
Automotive Lidar 2021
地點:Virtual Event

How Gallium Nitride ICs Simplify and Improve LIDAR System Design Speaker: John Glaser, Ph.D., Director of Applications

LIDAR has been in use for over 60 years in military, aerospace, robotics, and meteorological fields. Today it is experiencing a flurry of interest due to the expectation that it will be one of the key sensors to enable autonomous driving. With more than $2.1 billion raised to date, more than 85 companies are developing automotive grade LIDAR sensors using their unique approaches. This conference is the only event in the world exclusively focused on automotive LIDAR technologies and applications.

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240th Electrochemical Society (ECS) Meeting

2021年10月14日星期四 - 2021年10月15日星期五
240th Electrochemical Society (ECS) Meeting
地點:Orlando, FL

Understanding Dynamic RDS(on) in GaN Devices Presenters: Alejandro Pozo, Robert Strittmatter, Shengke Zhang, Alex Lidow

In this presentation, EPC expands on the wide body of experimental and theoretical knowledge of charge trapping phenomena in eGaN devices that cause dynamic on-resistance shifting (dRDS(on)).

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2021功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件國際論壇

2021年10月26日星期二 22:30 - 23:30 (UTC-05:00) Eastern Time (US & Canada)
2021功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件國際論壇
地點:網路研討會

於無刷直流(BLDC)馬達使用氮化鎵場效應電晶體和集成電路的優勢 講者:應用工程副總裁Michael de Rooij博士

目前應用於機器人和無人機中的無刷直流(BLDC)馬達越來越普及。此類應用特別要求重量輕、體積小、轉矩脉動低和高控制精度。爲了滿足這些要求,爲馬達供電的逆變器需要在更高的頻率下工作,而且需要額外的濾波來防止過高的損耗、EMI生成以及與高頻共模和感應電流相關的過度機械磨損。GaNFET和IC能够在硬開關拓撲中在更高的頻率下工作,而不會產生顯著的損耗。我們在這個研討會介紹了一種新型單片氮化鎵半橋功率級集成電路,它可以在高頻率下開關,每相可提供高達15ARMS的負載電流。高頻不需濾波,從而尺寸可以更小和重量更輕,並且確保機器人技術所需的高精度控制而同時降低了可聞噪聲。