EPC Virtual tradeshow

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要瞭解具備卓越性能的宜普電源轉換公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)和積體電路如何改變運算、通信、機器人技術和交通運輸各種應用的供電方式,請點擊下面的任何應用圖塊,以獲取更多相關的資訊。 要與EPC團隊成員進行會議,可發送會議請求

以下是宜普電源轉換公司展示各種應用的虛擬展臺

觀看EPC小組討論及演講

小組會議 – 氮化鎵功率元件: 過去、現在和未來
講者:Alex Lidow博士
錄製日期:2020年7月7日

小組會議 – 氮化鎵功率元件:改變遊戲規則的元件
講者:Alex Lidow博士
錄製日期:2020年7月8日

採用單片eGaN IC功率級的低壓BLDC馬達控制逆變器
分場研討會:Stream 1 – Si和GaN 的積體電路
錄製日期:2020年7月8日

BLDC電機驅動是非常受歡迎的應用,而且目前與機器人和無人機相關的應用越來越多。 這些應用的特定要求包括輕盈、小尺寸、低轉矩脈動和精確控制。

為了滿足這些需求,對電動機供電的逆變器,需要在更高的頻率下運行而同時需要額外的濾波,以防止因高頻共模和感應電流而產生過量的功耗、EMI及機械耗損。

GaN FET和積體電路能夠採用硬開關拓撲,在更高的頻率下工作,而不會產生高功耗。

基於氮化鎵場效應電晶體的超薄型DC/DC降壓轉換器

在過去的十年中,隨著電腦、顯示器、智慧型電話和其他消費電子系統變得越來越纖薄,而且功能越來越強大,人們越需要解決更纖薄的解決方案的挑戰,同時又要在有限的空間內,實現更高的功率。

本文探討為超薄、48 V/20 V電源解決方案,找出採用各種不同非隔離式DC/DC降壓轉換器拓撲的可行性。 我們選擇了兩種拓撲,分別是三階和兩相降壓轉換器,從而設計出超薄的48 V/20 V、250 W的轉換器。 採用GaN FET可以縮小轉換器的尺寸和提高效率。

採用GaN FET的300 W、48 V/12 V、1/16磚式 DC/DC轉換器

磚式 DC/DC轉換器根據分散式電源開放標準聯盟(DOSA)的標準而設計。 這個聯盟使得資料中心、電信基站和汽車行業的配電系統實現更好的相容性和靈活性。.

這些磚式轉換器通常用於將48 V標稱電壓轉換為12 V標稱電壓配電匯流排。 鑒於外型尺寸固定,主要趨勢是朝著更高的功率密度方向發展。

本文介紹採用GaN FET的非隔離式、1/16磚式DC/DC轉換器的設計,適用於48 V/12 V應用,最大輸出功率為300 W和功率密度為730 W / in3

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