How to GaN Webinar Series

設計技巧網路研討會

利用簡單實用的設計技巧,發揮您的氮化鎵设计的最高性能
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  • 充分發揮GaN開關速度的最佳佈局技術
  • 基於GaN元件的設計採用簡單並且不昂貴的散熱技術,從而實現更高的功率
  • 為什麼具有快速開關速度的eGaN® FET的電磁干擾比MOSFET元件更低?

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Henry Qiu

邱亮明是EPC公司高級FAE經理,為客戶提供技術支援,以及與設計工程師攜手創建多種基於eGaN技術和器件的應用。

他與客戶緊密合作、擴大客戶群和支援產品設計開發,利用eGaN器件創建雙贏的解決方案,從而實現優化的電路性能,遠遠超越基於矽場效應電晶體解決方案的性能。 加入EPC公司之前, 他在DC/DC電源設計方面擁有超過6年的經驗。 在中國深圳華為技術有限公司工作的3年中,他管理電源模組專案、在電源供電應用中採用氮化鎵電晶體,以及擁有豐富的實踐經驗,利用氮化鎵技術的優勢,推動DC/DC、無線電源和雷射雷達等應用項目發展。

Henry於2011年獲得華中科技大學(HUST)自動化科學學士學位,並於2014年獲得控制理論與控制工程科學碩士學位。

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