How to GaN Webinar Series

產品可靠性網路研討會

瞭解氮化鎵元件為什麼比矽功率MOSFET元件更穩固

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我們誠意邀請您參加EPC公司的網路研討會,與您一起探討氮化鎵功率元件的可靠性和如何反覆測試元件,從而瞭解氮化鎵元件的穩固性是矽功率MOSFET元件所無法比擬的。

參加網路研討會,學習更多關於:

  • 如何確定影響動態RDS(on)的關鍵機理和構建更可靠的設計。
  • 如何在數據手冊所載的安全工作區域(SOA),對幾種eGaN®產品進行反覆測試,當元件發生故障後,找出元件的安全工作裕度。
  • 如何在短路條件下對eGaN元件進行反覆測試,以確定在災難性故障發生之前,eGaN元件能夠承受多長時間的應力和多高能量密度。
  • EPC如何設定一個定制系統以評估在長期雷射雷達脈衝應力下工作的eGaN元件的可靠性。

網路研討會時間表 - 請點擊這裡

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張聲科博士是宜普電源轉換(EPC)公司的產品失效分析及可靠性部門經理,負責氮化鎵元器件和積體電路的可靠性失效分析的工作。在加盟EPC公司之前,張博士是高級材料失效分析工程師,致力於用於手機的高頻微機電系統(RF-MEMS)元器件的研發。張博士于2011年獲取華中科技大學材料科學工程學士學位元,並於2016年獲得美國亞利桑那州立大學材料科學工程博士學位元元元,師從在半導體材料研究享譽世界的Nathan Newman教授, 專攻面向手機及先進電腦應用的高性能電子絕緣材料研究。他是20多篇學術論文的作者及共同作者,以及曾經出任JEDEC固態技術協會的氮化鎵電力電子半導體委員會(JC-70)委員和內部組織連絡人。

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