How to GaN Webinar Series

產品可靠性網路研討會

瞭解氮化鎵元件為什麼比矽功率MOSFET元件更穩固

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我們誠意邀請您參加EPC公司的網路研討會,與您一起探討氮化鎵功率元件的可靠性和如何反覆測試元件,從而瞭解氮化鎵元件的穩固性是矽功率MOSFET元件所無法比擬的。

參加網路研討會,學習更多關於:

  • 如何確定影響動態RDS(on)的關鍵機理和構建更可靠的設計。
  • 如何在數據手冊所載的安全工作區域(SOA),對幾種eGaN®產品進行反覆測試,當元件發生故障後,找出元件的安全工作裕度。
  • 如何在短路條件下對eGaN元件進行反覆測試,以確定在災難性故障發生之前,eGaN元件能夠承受多長時間的應力和多高能量密度。
  • EPC如何設定一個定制系統以評估在長期雷射雷達脈衝應力下工作的eGaN元件的可靠性。

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Alex Lidow

Alex Lidow現為宜普電源轉換公司(EPC)的首席執行官及共同創辦人。在創辦宜普電源轉換公司之前,Lidow博士是國際整流器公司(NYSE:IRF)的首席執行官。他是HEXFET®功率MOSFET的共同發明者,除了擁有多項與功率半導體技術相關的專利權外,Lidow博士發表了許多與這些技術相關的著作,並且與另外三位作者共同著作《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》教科書。該教科書出版了第三版,由John Wiley & Sons出版。Lidow博士獲得美國加利福尼亞理工學院應用物理理學學士學位及斯坦福大學應用物理博士學位元元。

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