EPC90123:開發板

EPC90123:100 V、25 A半橋開發板

EPC90123開發板

EPC90123半橋開發板的最高電壓為100 V,最大輸出電流為25 A,採用板載閘極驅動器及增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體(EPC2218)。

The EPC90123 development board measures 2” x 2” and contains two EPC2218 eGaN FETs and one EPC2038 eGaN FET in a half bridge configuration using the uPI Semiconductor uP1966A gate driver.

為了簡化對EPC2218GaN FET進行評估的過程,所有關鍵元件都放置在一塊板上,從而易於與任何現有的轉換器連接。 關於“如何將EPC開發板構建成原型”的影片,請點擊這裡

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