EPC9036:開發板

EPC9036 Development Board

EPC9036: 30 V採用增强型單片式半橋氮化鎵器件的開發板

VDS(最大值), 30 V
ID(RMS最大值), 25 A
特色産品: EPC2100

EPC9036 開發板的最高器件電壓爲30 V、最大輸出電流爲25 A,採用半橋拓撲幷含板載栅極驅動器及特色産品增强型氮化鎵集成電路 - EPC2100 eGaNIC

該開發板旨在於一塊單板上包含所有重要元件以易於連接至任何現有的轉換器,從而簡化對 EPC2100 eGaNIC進行評估的過程。

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EPC9036 Efficiency Chart
典型效率: 12 VIN – 1.2 VOUT, L=250 nH
EPC9036 Parameters Table
* 假定感應式負載、最大電流要看晶片的溫度而决定,實際的最大電流會受到開關頻率、Bus電壓及散熱等各方面影響。eGaNIC集成電路面向具高壓降比應用。
# 受限于需要“更新”高侧自举电源电压的时间