Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

eGaN驅動器及控制器

於基於矽元件的系統相比，基於eGaN® FET的功率轉換系統具備更高的效率、更高的功率密度及其總系統成本可以更低。這些優勢刺激了支援基於氮化鎵設計的電力電子元件生態系統的增長，包括可以提升氮化鎵場效應電晶體性能的閘極驅動器、控制器及無源元件的發展。

半導體供應商例如uPI半導體、TI及pSemi繼續推出驅動器及控制器，從而支援對基於氮化鎵元件設計與日俱增的需求。

以下是目前與eGaN FET相容的積體電路列表：

GaN Drivers and Controllers
 

與氮化鎵元件匹配的低側閘極驅動器

器件型號 製造商 描述 應用範例
UCC27611 Texas Instruments 4 A/6 A高速5 V、優化的單閘極驅動器 EPC9081
LMG1020Texas Instruments速度為60 MHz/1ns的5 V、7 A/5 A低側氮化鎵驅動器EPC9144
uP1964uPI Semiconductor增強型氮化鎵場效應電晶體的單通道閘極驅動器---
IXD_604IXYS4安培雙路低側超快速驅動器---
LMG1025-Q1Texas InstrumentsAutomotive 7-A/5-A single-channel low-side gate driver with 5-V UVLO for narrow pulse applications---

與氮化鎵元件匹配的半桥闸极驱动器

器件型號 製造商 描述 應用範例
NCP51820 On Semi -3.5 至+650 V、可調死區時間、雙LDO 與EPC聯繫
LM5113Texas Instruments5 A、100 V eGaN FET半橋驅動器EPC9078
LMG1205Texas Instruments1.2 A, 5 A, 100 V eGaN FET半橋驅動器EPC9078
uP1966A uPI Semiconductor 驅動eGaN FET的雙通道閘極驅動器 EPC9078
uP1966D uPI Semiconductor 具有雙輸入PWM的閘極驅動器 ---
PE29102 pSemi 高速FET驅動器、40 MHz EPC9204
PE29101 pSemi 高速FET驅動器、40 MHz 與EPC聯繫
LMG1210Texas Instruments200 V、1.5 A/3 A、可調死區時間的半橋氮化鎵驅動器與EPC聯繫
Si827xGB-IMSilicon Labs隔離式、車用、高達2.5 kV隔離電壓、4 A
可編程死區時間。 使用“ GB”和“ IM”尾碼		EPC9084
ADuM4120ARIZ Analog Devices 2 A輸出的隔離型單通道驅動器 ---
ADuM4121ARIZ Analog Devices 2 A隔離型單通道驅動器 ---
LMG5200Texas Instruments80 V氮化鎵半橋功率級LMG5200POLEVM-10

與同步整流器相容的控制器

器件型號 製造商 描述 包含閘極驅動器
UCD7138 Texas Instruments 同步整流器控制器 Yes
TEA1993TS NXP 同步整流器控制器 Yes
TEA1995T NXP 雙路的同步整流器控制器 是（雙路）
TEA1998TS NXP 同步整流器控制器 Yes
NCP4305A On Semiconductor 二次側同步整流的控制器 Yes
NCP4306AOn Semiconductor同步整流器控制器是
NCP4308AOn Semiconductor同步整流器控制器是

與降壓轉換器相容的控制器

器件型號 製造商 描述 工作頻率
NCP81111On Semiconductor具有SVID及I2C介面的三相VR12.5-6高速數位控制器250 kHz − 5 MHz
LTC7800Analog Devices低IQ、60 V、高頻同步降壓控制器320 kHz - 2.25 MHz
MIC2127A Microchip 配備可適應On-Time控制的同步降壓控制器 270 kHz - 800 kHz
MIC2103/4 Microchip 配備可適應On-Time控制的同步降壓控制器 200 kHz - 600 kHz
LM5140-Q1 Texas Instruments 具寬闊輸入範圍的雙路同步降壓控制器 440 kHz - 2.2 MHz
TPS40400 Texas Instruments 3 V – 20 V、30 A PMBus 同步降壓控制器 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G Texas Instruments 適用於48 V GaN DC/DC轉換器的半橋D-CAP+控制器 300 kHz - 1 MHz
ISL8117ARenesas同步降壓PWM控制器100 kHz - 2 MHz

與高可靠性應用相容的積體電路

器件型號 製造商 描述 作用
FBS-GAM01P-C-PSEEPC Space氮化鎵(eGaN)閘極驅動器模組為單輸出閘極驅動器
FBS-GAM02P-C-PSEEPC Space50 V、耐輻射、高速兼多功能的氮化鎵（eGaN） HEMT驅動器HEMT驅動器
FBS-GAM02-P-R50EPC Space50 V/10 A、耐輻射的多功能功率模組Power Stage
ISL70040SEHRenesas耐輻射的低側GaN FET驅動器閘極驅動器