於基於矽元件的系統相比,基於eGaN® FET的功率轉換系統具備更高的效率、更高的功率密度及其總系統成本可以更低。這些優勢刺激了支援基於氮化鎵設計的電力電子元件生態系統的增長,包括可以提升氮化鎵場效應電晶體性能的閘極驅動器、控制器及無源元件的發展。
半導體供應商例如uPI半導體、TI及pSemi繼續推出驅動器及控制器,從而支援對基於氮化鎵元件設計與日俱增的需求。
以下是目前與eGaN FET相容的積體電路列表: