於基於矽元件的系統相比，基於eGaN® FET的功率轉換系統具備更高的效率、更高的功率密度及其總系統成本可以更低。這些優勢刺激了支援基於氮化鎵設計的電力電子元件生態系統的增長，包括可以提升氮化鎵場效應電晶體性能的閘極驅動器、控制器及無源元件的發展。
半導體供應商例如uPI半導體、TI及pSemi繼續推出驅動器及控制器，從而支援對基於氮化鎵元件設計與日俱增的需求。
以下是目前與eGaN FET相容的積體電路列表：
如何使用氮化鎵元件視頻04–設計基礎:閘極驅動器 本視頻介紹應用於高性能功率轉換的氮化鎵電晶體的基礎設計技術。氮化鎵電晶體跟功率MOSFET的操作相似，但具備更快速的開關速度及更高的功率密度。我們會分享如何驅動氮化鎵電晶體，從而實現元件的最高性能。