EPC2019:增强型功率電晶體

VDS, 200 V
RDS(on), 50 mΩ
ID, 8.5 A
Pulsed ID, 42 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2019 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 2.77 mm x 0.95 mm

應用

  • 高頻DC-DC電源轉換
  • 馬達驅動器
  • D類音訊放大器
  • 發光二極體照明

優勢

  • 更高開關頻率 – 更低開關損耗、更低功率驅動器
  • 更高效 – 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 更細小尺寸 - 更高功率密度
產品狀況:投產
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