EPC2035:增强型功率電晶體

VDS, 60 V
RDS(on), 45 mΩ
ID, 1.7 A
脉衝 ID, 24 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2035 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 0.9 mm x 0.9 mm

應用

  • 高速直流-直流轉換
  • 無線電源傳送
  • 光學遙感技術/脉衝式功率應用

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:投產
立即購買
購買 eGaN FET及積體電路

Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教