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向GaN技術專家提問
EPC2036:增强型功率電晶體
V
DS
, 100 V
R
DS(on)
, 73 mΩ
I
D
, 1.7 A
脉衝 I
D
, 18 A
符合RoHS 6/6、無鹵素
晶片尺寸: 0.9 mm x 0.9 mm
應用
DC/DC 轉換器
隔離式DC/DC轉換器
無刷DC馬達控制器
面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流
無線電源傳送
D類音訊放大器
光學遙感技術/脉衝式功率應用
優勢
開關頻率更快
– 更低開關損耗及更低驅動功率
效率更高
- 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
占板面積更小
– 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:
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對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
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向GaN技術專家請教
數據表
EPC2036 數據表
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應用筆記
How to Build an Ultra-Fast High-Power Laser Driver - That Sees Farther, Better, and at a Lower Cost!
組裝eGaN FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
使用eGaN FET
WP017: eGaN FETs Deliver the Performance of GaN at the Price of Silicon
器件模型
PSPICE (.net)
TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
Altium 庫 (.zip)
熱模型
更改產品規格通告
PCN200801 - 生產地變更 - 在Ardentec裝配後端卷帶
PCN200601 - 使用替代製造地點- 晶圓針測
PCN180501 – 使用替代製造地點-組裝後端編帶和捲軸封裝(TR)
PCN170401 –製造廠產地變更-組裝後端編帶和捲軸封裝(TR)
PCN170304 - 更改製造地點 - 組裝
PCN161201 – 材料規格變更通知