Toggle navigation
關於宜普公司
關於宜普公司
公司團隊
專業操守守則
新聞稿
銷售條款
品質和環保
品質和環保
品質政策
品質認證書
符合有害物質限制條例聲明
REACH 聲明
關於衝突礦物聲明
關於打擊假冒產品聲明
聯繫我們
專利權
加入宜普隊伍
產品
產品
eGaN FET及集成電路
eGaN FET及集成電路
eGaN積體電路
0 V - 40 V
41 V – 100 V
101 V – 350 V
GaN FET通過車用AEC標準驗證
給eGaN的驅動器及控制器
演示板
演示板
DrGaNPLUS
開發板
評估套件
EPC技術夥伴的參考設計
出版書刊
晶圓銷售
數據包
應用
應用
直流-直流電源轉換
馬達控制器
汽車應用
波峰追蹤
無線電源
航太應用
Lidar
D類音頻放大器
功率逆變器應用
醫療應用技術
How2AppNotes
向GaN技術專家提問
設計支援
設計支援
氮化鎵(GaN)大學
裝配技術資源
芯片級封裝 (CSP)
器件型號
開發板
可靠性
培訓視頻
培訓視頻
如何使用氮化鎵器件
為什麼使用氮化鎵元件
高級教程系列 -- 如何使用氮化鎵元件
基於eGaN產品的應用的現塲演示
應用筆記
Application Briefs
技術文章及演示稿
技術文章及演示稿
文章
演講
工具及計算器
面向降壓轉換器的GaN FET選型工具
向GaN技術專家提問
雜談GaN技術
活動及最新消息
活動及最新消息
項目及活動
新聞
CES 2021
網路研討會
虛擬展會
常見問題
常見問題
eGaN技術
eGaN FET特性
組裝eGaN FET
電路中的eGaN元件
eGaN的可靠性
聯絡我們
聯絡我們
代理商/銷售代表及分銷商
向GaN技術專家提問
EPC2047:增强型功率電晶體
V
DS
, 200 V
R
DS(on)
, 10 mΩ
I
D
, 32 A
脉衝 I
D
, 160 A
符合RoHS 6/6、無鹵素
晶片尺寸: 4.6 mm x 1.6 mm
應用
多級AC/DC電源供電
同步整流器(48 V
OUT
)
機械人應用
太陽能微型逆變器
無綫充電
D類音頻放大器
工業用噴墨打印機驅動器
低電感馬達驅動器
優勢
開關頻率更快
– 更低開關損耗及更低驅動功率
效率更高
- 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
占板面積更小
– 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:
停產產品
如果是全新設計,我們建議採用
EPC2215
聯絡我們
對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教
與矽基技術相比,GaN 技術在性能上實現質的飛躍
數據表
演示/開發板
EPC9081
品質及可靠性
可靠性報告
符合有害物質限制條例聲明
REACH聲明
關於打擊假冒產品聲明
關於衝突礦物聲明
設計資源
應用筆記
AN022:於電源轉換領域,第5代電晶體的性能提升實現質的飛躍
組裝eGaN FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
使用eGaN FET
器件模型
PSPICE (.net)
TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
Altium 庫 (.zip)
熱模型
向EPC代表提問