EPC2101:增强型幷採用半橋拓撲的氮化鎵功率電晶體

VDS, 60 V
RDS(on),
11.5 mΩ (Q1, 控制 FET),
2.8 mΩ (Q2, 同步 FET)
ID, 10 A (Q1) 及 40 A (Q2)
脉衝 ID,
80 A (Q1) 及 350 A (Q2)
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2101 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

應用

  • 高頻DC-DC電源轉換

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗、更低寄生電感及更低驅動功率
  • 效率更高 – 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 佔板面積更小 - 實現更高功率密度
產品狀況:投產
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