EPC2108 - 具整合式同步自舉電路的半橋型增強型氮化鎵功率電晶體

VDS, 60 V
RDS(on), 240 mΩ (Q1 & Q2),
3.3 Ω (Q3)
ID, 1.7 A (Q1 & Q2),
0.5 A (Q3)
脉衝 ID, 5.5 A (Q1 & Q2),
0.5 A (Q3)
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2108 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.35 mm x 1.35 mm

應用

  • 高頻DC-DC電源轉換
  • D類音訊放大器
  • 無綫電源(高度諧振及電感式)

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低的開關損耗、更低的寄生電感及更低的驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:投產
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