EPC2110 - 雙路增強型氮化鎵功率電晶體

VDS, 120 V
雙路FET、共源極
RDS(on), 110 mΩ
ID, 3.4 A
脉衝 ID, 20 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2110 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.35 mm x 1.35 mm

應用

  • 高頻DC-DC電源轉換
  • 無線電源傳送
  • 同步整流

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低的開關損耗、更低的寄生電感及更低的驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 更高的功率密度、具備低電感的封裝
產品狀況:投產
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