EPC2111:採用半橋拓撲的增强型氮化鎵功率電晶體

VDS, 30 V
RDS(on),
19 mΩ (Q1, 控制 FET),
8 mΩ (Q2, 同步 FET)
ID, 16 A (Q1) 及 16 A (Q2)
脉衝 ID,50 A (Q1) 及 140 A (Q2)
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2111 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.5 mm x 1.5 mm

應用

  • 高頻DC-DC電源轉換
  • 負載點(POL)轉換器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗、更低寄生電感及更低驅動功率
  • 效率更高 – 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 佔板面積更小 - 實現更高功率密度
產品狀況:投產
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