Toggle navigation
關於宜普公司
關於宜普公司
公司團隊
專業操守守則
新聞稿
銷售條款
品質和環保
品質和環保
品質政策
品質認證書
符合有害物質限制條例聲明
REACH 聲明
關於衝突礦物聲明
關於打擊假冒產品聲明
聯繫我們
專利權
加入宜普隊伍
產品
產品
eGaN FET及集成電路
eGaN FET及集成電路
eGaN積體電路
0 V - 40 V
41 V – 100 V
101 V – 350 V
GaN FET通過車用AEC標準驗證
給eGaN的驅動器及控制器
演示板
演示板
DrGaNPLUS
開發板
評估套件
EPC技術夥伴的參考設計
出版書刊
晶圓銷售
數據包
應用
應用
直流-直流電源轉換
馬達控制器
汽車應用
波峰追蹤
無線電源
航太應用
Lidar
D類音頻放大器
功率逆變器應用
醫療應用技術
How2AppNotes
向GaN技術專家提問
設計支援
設計支援
氮化鎵(GaN)大學
裝配技術資源
芯片級封裝 (CSP)
器件型號
開發板
可靠性
培訓視頻
培訓視頻
如何使用氮化鎵器件
為什麼使用氮化鎵元件
高級教程系列 -- 如何使用氮化鎵元件
基於eGaN產品的應用的現塲演示
應用筆記
Application Briefs
技術文章及演示稿
技術文章及演示稿
文章
演講
工具及計算器
面向降壓轉換器的GaN FET選型工具
向GaN技術專家提問
雜談GaN技術
活動及最新消息
活動及最新消息
項目及活動
新聞
CES 2021
網路研討會
虛擬展會
常見問題
常見問題
eGaN技術
eGaN FET特性
組裝eGaN FET
電路中的eGaN元件
eGaN的可靠性
聯絡我們
聯絡我們
代理商/銷售代表及分銷商
向GaN技術專家提問
EPC2207: 200 V, 54 A增强型功率電晶體
V
DS
, 200 V
R
DS(on)
, 22 mΩ
I
D
, 14 A
脈衝電流 I
D
, 54 A
晶片尺寸: 2.9 mm x 0.9 mm
應用
DC/DC 轉換器
無刷DC馬達控制器
面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流
多級AC/DC電源供電
無線電源
太陽能微型逆變器
機械人應用
D類音頻放大器
優勢
開關頻率更快
– 更低開關損耗及更低驅動功率
效率更高
- 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
占板面積更小
– 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:
投產
立即購買
對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教
數據表
EPC2207 數據表
演示/開發板
EPC90124
EPC9083
品質及可靠性
檢驗合格報告
可靠性報告
符合有害物質限制條例聲明
REACH聲明
關於打擊假冒產品聲明
關於衝突礦物聲明
材料聲明
設計資源
應用筆記
組裝eGaN FET
如何手工組裝氮化鎵場效應電晶體或積體電路
如何設計出具備最優佈局並基於eGaN FET的功率級
使用eGaN FET
器件模型
PSPICE (.net)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
Altium 庫 (.zip)
熱模型