EPC7018: 耐輻射增强型功率電晶體

VDS, 100 V
RDS(on), 3.9 mΩ
ID, 90 A
脉衝 ID, 345 A
焊料:95% Pb、5% Sn

EPC7018 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

應用

  • 航太应用:DC/DC功率转换、电机驱动、激光雷达、离子推进器
  • 商用衛星 EPS 和航空電子設備
  • 深空探測器
  • 高頻 、抗輻射 DC/DC 轉換
  • 抗輻射的馬達控制器

優勢

  • 超高效率
  • 超低閘極電荷
  • 超小佔板面積
  • 重量輕
  • 總劑量
    • 額定 > 1 Mrad
  • 單粒子效應
    • LET 的 SEE 抗擾度爲 85 MeV/(mg/cm2),漏源額定電壓VDS可以高達100%擊穿電壓
  • 中子
    • 維持符合輻照前的規格,最高可達3 x 1015 Neutrons/cm2
產品狀況:工程產品
在購買元件時,產品型號尾碼ENG*代表該元件仍然處於"工程狀態",不適宜進行可靠性應力測試或其他的認證測試。在進行該些測試之前,請聯繫您的所屬區域的EPC公司FAE及查詢該元件的最新狀態。
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Export Classification

ITAR Controlled? No

EAR? Yes

ECCN? 9A515.e

ECCN classification 9A515.e allows for the export of this product to many countries with no license required.

See Supplement No. 1 to Part 738 – Commerce Country Chart for countries with no “X” in column NS2.