元件模型

宜普公司(EPC)是增強型氮化鎵功率管理元件的領導廠商,是首間公司推出可替代MOSFET的矽基增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)。

無論設計工程師是使用任何不同的功率轉換拓撲、全橋、半橋、降壓轉換器、升壓轉換器、PFC、反向式轉換器、順向式轉換器或是LLC轉換器, 與矽元件相比,氮化鎵場效應電晶體及積體電路助力工程師,使得其設計的性能得以大大提升。

為了使得氮化鎵場效應電晶體易於使用,我們開發了的元件的特性跟矽基功率MOSFET非常相似。輔以方便使用的工具,使得全新元件更易於使用。EPC開發了並提供非常全面的third-order器件模型清單,可以説明工程師快速設計出優越的電路並把出現失效電路的機會減至最低。

工程師現在可使用宜普公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)模型並利用 National Instrument 公司的Multisim 電路模擬環境來提高設計性能。 觀看網路廣播

器件型號VDSRDS(ON)
(mΩ)
(最大值)
PSPICELTSPICETSPICESpectreAltium
圖書館
熱模型
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EPC2100308.2
2.1
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2.8
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3.6
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