文章

• 05/2017: GaN FETs Drive Fidelity and Efficiency in Class-D Audio Amplifiers
• 05/2017: GaN Power Stage for Switch Mode Audio Amplification
• 05/2017: 48V-to-1V Conversion - the Rebirth of Direct-to-Chip Power
• 05/2017: 如何剪斷電源線 -- 這是無線充電發展的重要時刻
• 03/2017: GaN-on-Silicon Power Devices: How to Dislodge Silicon-Based Power MOSFETs
• 03/2017: How GaN Power Transistors Drive High-Performance Lidar: Generating ultrafast pulsed power with GaN FETs
• 02/2017: How we devised a wirelessly powered television set
• 02/2017: GaN is Eyeing Silicon’s Data Center Lunch
• 01/2017: Tech Blog Writer 播客 #180 – 為什麼氮化鎵技術即將替代矽技術？
• 01/2017：播客 – Alex Lidow於CES 2017展覽接受Bloomberg廣播電臺訪問
• 11/2016: eGaN^®技術的可靠性及元件失效的物理原因 – 閘極電壓應力測試
• 10/2016: 採用晶片級封裝的氮化鎵（GaN）電晶體改善系統的熱性能
• 07/2016: eGaN^®技術的可靠性及元件失效的物理原因 - 應力測試認證及元件性能
• 06/2016：於同步整流器的eGaN FET與矽基MOSFET的死區時間損耗的比較
• 06/2016：採用晶片級封裝的氮化鎵電晶體可以提高散熱性能
• 05/2016: eGaN^®技術的可靠性及元件失效的物理原因–確證eGaN FET的現場可靠性
• 03/2016: eGaN^®技術的可靠性及元件失效的物理原因–GaN元件可靠性的導論
• 03/2016: 精心和專業的開發板設計有助實現GaN技術的承諾
• 03/2016: 採用eGaN^® FET設計的波峰追蹤電源支持20MHz LTE頻寬
• 02/2016: WiGaN – 面向6.78 MHz無線電源傳送應用並基於eGaN^® FET的ZVS D類放大器的Radiated EMI Filter設計
• 01/2016: 48 V輸入電壓 - 負載電壓：利用氮化鎵電晶體改善低壓DC/DC轉換器的性能
• 12/2015: 這是耗能的季節
• 11/2015: 如何利用氮化鎵電晶體在1/8磚式轉換器實現500 W
• 08/2015: 面向多模式無綫電源系統的單個放大器
• 08/2015: 實用的佈局技術可實現eGaN^® FET的優勢
• 07/2015: 全新晶片與無線充電應用結合擦出火花
• 06/2015: 為何晶片業界的併購與您息息相關？
• 06/2015: 利用eGaN^®FET實現高效、具備寬負載範圍的無綫電源傳送應用
• 04/2015: 摩爾定律已死。摩爾定律萬歲。
• 04/2015: 氮化鎵晶片將替代矽基晶片
• 03/2015: GaN FET模組的性能遠好於矽基FET模組
• 02/2015:利用氮化鎵電晶體的潛能推動電源供電解決方案的發展
• 02/2015: 氮化鎵技術何去何從？
• 02/2015: 半導體的改革者
• 01/2015: 氮化鎵技術將改變未來
• 12/2014: 如何使用氮化鎵：改善電氣及散熱性能
• 12/2014: : Panasonic賦予Technics新生命–內含氮化鎵電晶體以實現快速開關
• 12/2014: Profiles in Design：Alex Lidow博士
• 11/2014: WiGaN：應用於支持寬闊負載範圍的高效無線電源傳送領域的eGaN^® FET
• 11/2014: 如何測量世界上速度最快的電源開關
• 10/2014: : 如何使用氮化鎵：第四代eGaN FET擴大與日益老化的MOSFET的績效差距
• 2014年8月: WiGaN: 利用氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）支持在高頻工作的硬開關轉換器應用
• 07/2014: 利用開發板使得對eGaN FET進行評估變得更容易
• 07/2014: 宜普公司（EPC）-- 氮化鎵（GaN）元件的野心
• 07/2014:氮化鎵（GaN）-- Primed for Power
• 06/2014:如何使用氮化鎵器件：採用DrGaN^PLUS簡化設計及提高效率
• 2014年6月:氮化鎵器件 – 迅速進駐全新市場
• 05/2014:如何使用氮化鎵元件 – 在A類射頻放大器採用eGaN^® FET
• 05/2014:功率轉換領域：矽器件已經走到盡頭
• 05/2014:在採用D類及E類放大器拓撲的無線電源傳送系統對增強型氮化鎵電晶體的性能進行評估
• 04/2014:如何使用氮化鎵元件 -- 在大電流應用並聯具快速開關性能的 eGaN^® FET
• 03/2014: 對採用矽器件與氮化鎵場效應電晶體的無刷式直流（DC）伺服電機的功率逆變器進行比較
• 02/2014:如何使用氮化鎵元件 -- 在高性能D類音訊放大器採用eGaN^® FET
• 02/2014:氮化鎵元件 -- 仍然於每一個應用逐一擊敗矽元件
• 01/2014:（播客）Paultre on Power -- 氮化鎵技術的市場現況
• 01/2014:如何使用氮化鎵元件 --在高頻無線電源傳送應用採用eGaN^® FET
• 2013年12月:如何使用氮化鎵：支援高頻開關的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）
• 11/2013:高頻功率轉換器件的封裝的考慮因素
• 10/2013:如何使用氮化鎵：在硬開關中間匯流排轉換器使用氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）
• 09/2013:如何使用氮化鎵器件：在高頻降壓轉換器使用氮化鎵場效應電晶體
• 09/2013:於功率電子應用的氮化鎵器件
• 08/2013: 如何使用氮化鎵器件： 驅動氮化鎵場效應電晶體及版圖方面的考慮
• 07/2013:如何使用氮化鎵器件：增強型氮化鎵電晶體的電學特性
• 06/2013:氮化鎵功率器件進入生產階段
• 06/2013:無封裝高電子遷移率電晶體可實現高效電源轉換
• 06/2013:全新矽器件：宜普公司首席執行長談論為何氮化鎵器件將成為未來的電源管理器件
• 06/2013:如何使用GaN（氮化鎵）: 氮化鎵電晶體技術專論
• 05/2013:探究氮化鎵技術
• 03/2013:非常高共振頻率的無線電源傳送系統解構
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 矽、氮化鎵與碳化矽器件的比拼：我的功率設計應該選用哪一個製程及供應商？
• 03/2013:（播客）Paultre on Power – 功率氮化鎵（GaN）
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）可提高工業應用的負載點轉換器的效率及提升其功率密度
• 矽基氮化鎵場效應電晶體促進全新應用的出現
• nPower ^® PEG充電器採用宜普的氮化鎵技術替People-Power的移動器件充電
• 氮化鎵場效應電晶體封裝的先進性和熱建模分析
• Power Views雜誌2012年7月刊: 氮化鎵電晶體已經準備好在這個黃金時間搶攻市場嗎?
• 內含高效氮化鎵場效應電晶體的八分之一磚直流-直流電源轉換器 (www.bodospower.com)
• 測試設備必須跟上全新的大功率半導體發展步伐
• 表徵大功率半導體需要採用新的技術
• 市場對增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN^® FET) 優勢的認同 - IIC 2012 專訪
• 增强型氮化鎵場效應電晶體如何展現其超卓能力？
• 12/2011: 氮化鎵基的元件可大大提升電源轉換效率
• 訪問宜普首席執行官Alex Lidow
• 如何使用eGaN FET從交流電源轉換出1V以下的電壓?
• 應用於筆記型電腦的直流-直流轉換器的設計
• 專為eGaN場效應電晶體而設的閘極驅動器
• 06/2011:業界首款可簡化開關電路設計的eGaN FET驅動器
• 03/2011:基於氮化鎵電晶體19 V轉1.2 V的降壓轉換器可縮小系統尺寸
• 02/2011:访问Alex Lidow博士關於氮化鎵元件的發展
• 含eGaN^® FET元件的高降壓比降壓轉換器
• 驅動eGaN^® FET
• 10/2010:訪問宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow博士
• 怎様去理解eGaN^® FET 的可靠性？
• eGaN^® FET功率電晶體 - 電源轉換的新領域
• 03/2010:增強型氮化鎵電晶體實現卓越性能
• 氮化鎵可以替代矽功率元件吗？

PET 雜誌-- 氮化鎵場效應電晶體(eGaN^®FET) 與矽功率元件比拼系列

• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第一章 -- 品質因數
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第二章 -- 驅動器及版圖
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第三章—以太網供電
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第四章 -- 隔離型磚式轉換器
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第五章（上）--並聯氮化鎵場效應電晶體
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第五章（下）-- 並聯氮化鎵場效應電晶體
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第六章 -- 乙太網供電及供電設備轉換器
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第七章 -- 應用於降壓轉換器
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第八章－波峰追蹤應用
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第九章-- 無線電源轉換器
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第十章：應用於高頻諧振轉換器
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第十一章：優化場效應電晶體的導通電阻
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第十二章 – 優化死區時間
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第十三章（上）-- 寄生電感在採用不同元件的轉換器對其性能的影響
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第十三章（下）-- 最優化的印刷電路板版圖
• 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）與矽功率元件比拼第十四章 -- 氮化鎵場效應電晶體的小信號射頻性能
• 回顧氮化鎵與MOSFET功率元件比拼文章（共十六章）