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提高高壓伺服器電源中低壓 eGaN FETs 的功率密度 – 第一部分
Posted 2025年3月3日
本文第一部分介紹了在高電壓應用中使用低電壓氮化鎵(GaN)元件的概覽，舉例說明了240 VAC來源的5 kW圖騰柱功率因數校正(PFC)和400 VDC至50 VDC隔離型LLC轉換器。一項FOM分析顯示，使用低電壓元件可以實現顯著的性能提升。這些好處還包括通過減小磁性元件的尺寸和降低EMI濾波器要求來增加功率密度。
Bodo的電源系統
2025年3月
低電壓GaN - 高電壓應用的動力 - 第1部分