艾爾瑟甘多，加州 – 2025年3月 – EPC宣布在IPR2023-01381案中，美國專利局發布的決定加強了US'294專利，新增了兩項對商業增強模式GaN裝置至關重要的專利請求項。雖然美國專利局也取消了兩項成為ITC對Innoscience侵權決定基礎的權利要求專利請求，EPC將對美國專利局取消其權利要求專利請求提出上訴。歷史上，EPC的專利在包括美國和中國在內的多個司法管轄區得到了維護，這加強了EPC預期最終結果將對其有利。
至關重要的是，EPC繼續受益於美國國際貿易委員會（ITC）的一項關鍵裁決，該裁決確認Innoscience侵犯了EPC的專利。因此，ITC發布了限制性排除令，禁止將侵權的Innoscience產品進口到美國。該禁令仍然全面有效並將繼續執行。ITC的裁決是在嚴格調查後作出的，確認了EPC對其專利技術的合法所有權。美國專利局授予EPC的兩項新專利請求也為未來對Innoscience的侵權索賠奠定了基礎。
EPC的首席執行官兼共同創始人Alex Lidow表示，ITC的排除令繼續阻止Innoscience將侵權產品進口到美國。我們將追求一切必要的法律途徑來維護我們創新的完整性。
隨著對GaN技術的需求加速，EPC致力於通過尖端的研究和開發來推動該領域的發展，確保其技術繼續塑造電力電子的未來。公司在GaN創新方面的持續領導使其成為下一代高能效、高性能半導體解決方案的推動力
關於EPC
EPC是增強模式氮化鎵（eGaN®）基電源管理的領導者。eGaN FETs和集成電路的性能遠超最佳的矽功率MOSFET，應用於DC-DC轉換器、遠程感測技術（激光雷達）、電動機驅動用於eMobility、機器人和無人機，以及低成本衛星。
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