El Segundo, CA — 2025年5月 – 高效能功率轉換公司(EPC),增強模式氮化鎵(GaN)功率晶體管和集成電路的領導者,宣布EPC2366現已上市,這是一款40伏,0.8毫歐姆的裝置,旨在取代高性能DC-DC轉換器和同步整流器等要求嚴苛應用中的傳統低壓硅MOSFET。
擁有業界領先的RDS(on) x QG 優值(10毫歐姆·納庫隆),零反向恢復和出色的熱性能,EPC2366在一個緊湊的3.3毫米 x 2.6毫米PQFN封裝中提供更高的效率、更快的切換和更大的功率密度。EPC2366促使高頻操作和高密度48伏轉換器在AI伺服器和數據通訊、高頻同步整流器以及24伏電池供電的電機驅動器中系統尺寸的縮小。
“隨著EPC2366以及即將推出的低壓產品,我們正在擴大GaN在長期由硅主導的低壓應用領域的應用,” EPC首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow表示。
產品供應情況
工程樣品現已供合格設計使用。 聯繫EPC討論您的應用需求。
關於宜普電源轉換公司
宜普電源轉換公司(EPC)是基於增強型氮化鎵(eGaN®)的功率管理元件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com 。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram和優酷。
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