安多佛, MA – 2025年6月 – EPC Space，一家在抗辐射（RH）氮化镓（GaN）功率器件领域的领导者，宣布推出EPC7030MSH，一款抗辐射（RH）300V氮化镓（GaN）FET，为高电压、高功率的太空应用提供了无与伦比的性能，包括下一代卫星电站和电推进系统。
随着卫星平台对更高电压总线的需求增加，以支持不断增长的功率需求和先进的太阳能阵列技术，EPC7030MSH满足了高效、紧凑和强大前端电源转换的关键需求。
凭借同类产品中最低的 RDS(on) 和栅极电荷，EPC7030MSH 在所有市场上的 300V 抗辐射 GaN FET 中提供了最高的功率电流额定值。这使其非常适合在严格的热和辐射限制下运行的前端 DC-DC 转换器。
“EPC7030MSH 300V RH GaN FET 提供高电流和抗辐射可靠性，满足更高电压太空电力架构的严格要求，并为我们的客户简化了热设计，” EPC Space 的首席执行官 Bel Lazar 说。
主要特性：
- 在LET = 63 MeV时额定为300V操作，在LET = 84.6 MeV时为250V
- 所有300V抗辐射GaN FET中最低的RDS(on)和QG
- 其电压级别中最高的电流额定值
- 为导热冷却优化的FSMD-M密封表面贴装封装，增加了爬电距离
- 与现有GaN栅极驱动器兼容
目标应用：
- 卫星电力系统中的前端DC-DC转换器
- 用于更高电压分配总线的电力转换
- 需要紧凑、高性能开关的电推进平台
EPC7030MSH 是 EPC Space 持续任务的一部分，旨在提供在效率、尺寸和热管理方面超越硅抗辐射 MOSFET 的太空级抗辐射 GaN 解决方案，使卫星系统更具能力、可靠性和可扩展性。
500单位数量的工程模型定价为236美元，抗辐射太空合格产品定价为349美元。
有关产品详情，请参阅EPC7030MSH页面
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关于EPC Space
EPC Space 提供革命性的高可靠性抗輻射增強型氮化鎵電源管理解決方案，適用於太空和其他惡劣環境。
抗輻射氮化鎵基電力裝置針對太空環境的關鍵應用，如電源供應器、電機驅動器、離子推進器等。
eGaN 是 Efficient Power Conversion Corporation, Inc. 的註冊商標。
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